SJ 50920.1-1998 RN2161型膜固定电阻网络详细规范
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ID： |
2256DF2937F64F7F82A705257571209C |
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文件大小(MB)： |
0.47 |
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5 |
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文件格式： |
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日期： |
2024-7-27 |
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中华人民共和国电子行业军用标准,FL5905 SJ 50920/1-1998,RN2161型膜固定电阻网络,详细规范,Resistor network, fixed, film, style,RN2161, detail specification for,1998-03-11 发布1998 - 05 - 01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,RN2161型膜固定电阻网络详细规范,Resistor network, fixed, film, style,RN2161, detail 即edfication for,SJ 50920/1-1998,本规范所规定的RN2161型膜固定电阻网络,其全部要求由本规范和GJB 920 - 90《膜固,定电阻网络总规范》作出规定,1范围,1.1 主题内容,本规范规定了 RN2161型16引出端双列直插封装（DIP）膜固定电阻网络（以下简称电,阻网络）的详细要求,1.2 适用范围,本规范规定了简图为A、B、J的电阻网络。该电阻网络对特性C、V、H、K、M和阻值,偏差B D、F、G、J均适用,1.3 分类,1.3.1 型号规格,电阻网络的型号RN2161符合GJB/Z 37.2 - 93《军用电阻网络和电位器系列型谱固定电,阻网络》的规定。其型号规格与GJB/Z37.2 — 93中的RN020型相对应,1.3.2 电路图,电阻网络电路图见图1,图中Rref作为基准电阻元件,用来确定阻值比精度（当适用,时）,电路图“A”,中华人民共和国电子工业部1998 - 03-11发布1998-05-01 实施,SJ 50920/1 —1998,n,OXMUI,—nTO,6,才,K,olnu —,4,—,nulo,5,nA,R,B,0 " C O " 4 — 〇,4,じ,OXHUI^InHudo,2,6o.,h,u^ol,9,o,—,..,3,f^rnr^,Aw,u,0-^-CJ-TT,“,OT^rnuM,runun,6,o.,Av 8,d,7,tf-,也,W6,6,6,Av,5,6,4,>,ノ,ー,0,&,—,0,ム,3,6,1,电路图“J”,图1电阻网络电路图,1.3.2,1标称阻值,简图“了’的阻值标志及标称阻值按表1的规定,表1标称阻值,阻值标志,RI,n,R2,n 阻值标志,RI,n,R2,Q,A001 82 130 AGIO 330 470,A002 120 200 A011 330 680,A003 130 210 A012 1500 3300,A004 160 260 A013 3000 6200,A005 180 240 A014 180 270,A006 180 390 A015 270 270,A007 220 270 A016 560 560,A008 220 330 A017 560 1200,A009 330 390 A018 620 2700,2,SJ 50W0/1 — 1998,2引用文件,GJB 920 - 90膜固定电阻网络总规范,GJB/Z37.2 - 93军用电阻器和电位器系列型谱 固定电阻网络,3要求,3.1设计和结构,电阻网络的设计、结构和外形尺寸应符合图2的规定,1.65+0.51 2.54x7(=17.78±0.4),—1------------------------,21.5911/,标志血’ X,E,E,一 丒い, 丒パ。.89 6.S6- 0 7 6,1.4 + 0.38,3.2,注:第一引出端的定位,应在第一引出端附近的阴影区内用一个小圆点、凹坑或数字“1”表示,图2 RN161型电阻网络外形图,额定功耗,额定功耗按表2的规定,3,SJ 50920/1 —1998,表2额定功耗,简图特性,元件额定功耗,W,网络额定功耗,W,A,C、V 0J 0.8,H、K、M 0.2 1.6,B,C、V 0.05 0.75,H、K、M 0.1 1.5,J,C、V 0.025 0.7,H、K、M 0.05 1.4,3.3 功率老化,所施加的功耗应为额定功耗L5倍,3.4 极限电压,每个电阻的最大连续工作电压不应超过WOV直流或交流有效值,3.5 阻值范围,电阻的最大值和最小值应符合表3规定,表3阻值范围,符号阻值允许偏差,最小阻值,n,最大阻值,n,B ±0.1% 100 1,D ±0.5% 100 1,F ±1.0% 10.0 1,G ±2.0% 10.0 1,J ±0.5% 10.0 1,4质,保证规定,4.1 质量保证规定,质量保证规定应符合GJB 920的规定,4.2 简图J试验,对于简图J的试验,其直流电阻测量、阻温度特性测量和短期过载试验应在无补偿分路,的状态下,在每个引出端和公共引出端之间进行。引出端之间的直流电阻测量将由第3章的,要求直接进行合格判定,附加说明:,本标准由中国电子技术标准化研究所归ロ .,本标准由电子工业部第四十三研究所负责起草,本标准主要起草人:吴凡、冯佑民、彭伟,计划项目代号:862002,4……
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